JEOL Ltd. (presidente y director ejecutivo: Izumi Oi) anuncia el desarrollo de su nuevo microscopio electrónico de barrido con bombardeo iónico de ángulo bajo, HAXIS, cuya comercialización comienza el 5 de octubre de 2026.
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Microscopio electrónico de barrido con bombardeo iónico de ángulo bajo HAXIS
Antecedentes del desarrollo
A medida que las estructuras avanzadas de los dispositivos semiconductores siguen reduciéndose y volviéndose más complejas, es cada vez más difícil establecer contacto y medir circuitos a microescala utilizando nanomanipuladores. Además, el contacto que provoca la sonda puede afectar al objeto de análisis, lo que hace necesarios nuevos métodos en el campo del análisis de fallas.
JEOL ha llevado a cabo una extensa investigación sobre la tecnología de detección por contraste de voltaje pasivo (PVC, por sus siglas en inglés) y ha establecido un método para la observación de PVC estable y altamente reproducible mediante avances y mejoras en los detectores y las técnicas de preparación de muestras.
HAXIS es la nueva plataforma de análisis de fallas de semiconductores de JEOL que combina dichas tecnologías.
Lo que se ha logrado es una observación del PVC clara y altamente reproducible, incluso con semiconductores avanzados. Al detectar visualmente anomalías eléctricas y minimizar los efectos del daño por procesamiento y la contaminación, es posible identificar de manera eficiente la ubicación del defecto y determinar su causa. El uso de argón (Ar), un gas inerte, garantiza una calidad de superficie estable y reduce los costos de operación.
La calidad de la observación del PVC se ve significativamente afectada por el estado de la superficie de la muestra después de que se eliminan capas. HAXIS utiliza una técnica exclusiva de eliminación de capas mediante bombardeo iónico de ángulo bajo (LIM, por sus siglas en inglés), que emplea haces de iones de argón para crear una superficie plana con un daño mínimo a la superficie de la muestra. De este modo, se puede realizar una observación clara y altamente reproducible del PVC, al tiempo que se conserva la información estructural y de potencial, incluso en dispositivos avanzados.
El análisis de fallas en semiconductores implica varios pasos, desde la localización de defectos hasta el análisis físico y la investigación de la causa raíz. A medida que aumenta la complejidad de los dispositivos, se vuelve cada vez más crítico acortar el tiempo de respuesta desde la detección de la falla hasta la obtención de resultados útiles.
HAXIS presenta un nuevo enfoque para la localización de fallas mediante la integración de la eliminación de capas con LIM, junto con imágenes de SEM y el análisis de contraste de voltaje pasivo. Este flujo de trabajo combinado permite identificar de manera rápida y con gran precisión las ubicaciones de las fallas, lo que respalda el análisis de fallas con tiempo de respuesta rápido (QTAT, por sus siglas en inglés) y acelera la transición desde la detección de fallas eléctricas hasta el análisis físico y la identificación de la causa raíz.
Características principales
Meta de ventas
15 unidades/año
Descripción general del producto
Sistema multihaz HAXIS LIM-SEM https://www.jeol.com/products/scientific/sem/haxis.php
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– Business Wire
